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詳細介紹
| 品牌 | 國儀量子 | 產地類別 | 國產 |
|---|---|---|---|
| 價格區間 | 面議 | 儀器種類 | 鎢燈絲 |
| 應用領域 | 能源,電子/電池,電氣 | 加速電壓 | 0.2 kV~ 30 kV |
| 放大倍率 | 1x~300,000x |
國儀量子SEM3200鎢燈絲掃描電子顯微鏡 是一款綜合能力優秀的通用型立式鎢燈絲掃描電鏡。特別的電子槍雙陽極結構，保證了低電壓下的分辨率和更好的圖像信噪比。另外有諸多的可選配附件選擇，使得國儀量子SEM3200鎢燈絲掃描電子顯微鏡成為了一款應用廣泛的綜合分析儀器。
低電壓
碳材料樣品，低電壓下，穿透深度較小，可以獲取樣品表面真實形貌，細節更豐富。
毛發樣品，在低電壓下，電子束輻照損傷減小，同時消除了荷電效應。
低真空
過濾纖維管材料，導電性差，在高真空下荷電明顯，在低真空下，無需鍍膜即可實現對不導電樣品的直接觀察。
大視場
生物樣品，采用大視場觀察，能夠輕松獲得瓢蟲整體形貌及頭部結構細節，展現跨尺度分析。
光學導航
想看哪里點哪里，導航更輕松
標配倉內攝像頭，可拍攝高清樣品臺照片，快速定位樣品。
手勢快捷導航
可通過雙擊移動、鼠標中鍵拖動、框選放大，進行快捷導航
如框選放大：在低倍導航下，獲得樣品的大視野情況，可快速框選您感興趣的樣品區域，提高工作效率。
防碰撞技術
采取多維度的防碰撞方案：
1. 手動輸入樣品高度，精準控制樣品與物鏡下端距離，防止發生碰撞；
2. 基于圖像識別和動態捕捉技術，運動過程中對倉內的畫面進行實時監測；
3. 硬件防碰撞，可在碰撞一瞬間停止電機，減少碰撞損傷。(*SEM3200A需選配此功能）
智能輔助消像散
直觀反映整個視野的像散程度，通過鼠標點擊清晰處，可快速調節像散至最佳。
自動聚焦
一鍵聚焦，快速成像。
自動消像散
一鍵消像散，提高工作效率。
自動亮度對比度
一鍵自動亮度對比度，調出灰度合適圖像。
多種信息同時成像
SEM3200軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像。可同時觀察到樣品的形貌信息和
成分信息。
快速圖像旋轉
拖動一條線，圖像立刻“擺正角度"。
掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察，更可以進行樣品表面的微區成分分析。
SEM3200接口豐富，除支持常規的二次電子探測器（ETD）、背散射電子探測器（BSED）、X射線能譜儀（EDS）外，也預留了諸多接口，如電子背散射衍射（EBSD）、陰極射線（CL）等探測器都可以在SEM3200上進行集成。
背散射電子探測器
二次電子成像和背散射電子成像對比
背散射電子成像模式下，荷電效應明顯減弱，并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。
鍍層樣品：
鎢鋼合金樣品：
四分割背散射電子探測器——多通道成像
探測器設計精巧，靈敏度高，采用4分割設計，無需傾斜樣品，可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。
四個單通道的陰影像
成分像
能譜
LED小燈珠能譜面分析結果。
電子背散射衍射
鎢燈絲電鏡束流大，滿足高分辨EBSD的測試需求，能夠對金屬、陶瓷、礦物等多晶材料進行晶體取向標定以及晶粒度大小等分析。
該圖為Ni金屬標樣的EBSD反極圖，能夠識別晶粒大小和取向，判斷晶界和孿晶，對材料組織結構進行精確判斷。
| 參數 | SEM3200 | |
|---|---|---|
| 關鍵參數 | 分辨率 | 3 nm @ 30 kV, SE 7 nm @ 3 kV, SE 4 nm @ 30 kV, BSE 3 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa |
| 加速電壓 | 0.2 kV ～ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 x ～ 300,000 x | |
| 樣品室 | 低真空模式 | 5~1000 Pa（選配） |
| 攝像頭 | 光學導航 + 樣品倉內監控 | |
| 樣品臺類型 | 五軸真空電機驅動 | |
| XY 行程 | 125 mm | |
| Z 行程 | 50 mm | |
| T 行程 | -10° ~+90° | |
| R 行程 | 360° | |
| 探測器 | 倉室內二次電子探測器（ETD） | ● |
| 背散射電子探測器 (BSED) | （五分割，可選配） | |
| 能譜儀（EDS） | ○ | |
| 背散射衍射（EBSD） | ○ | |
| 擴展 | 樣品交換倉 | ○ |
| 旋鈕板 & 軌跡球 | ○ | |
| 軟件 | 操作軟件 | Windows 操作系統，中文 SEM 軟件 |
| 導航 | 光學導航、手勢快捷導航、軌跡球（選配） | |
| 自動功能 | 自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散 | |
●標配 ○選配 / 無
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