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| 品牌 | 其他品牌 |
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交流阻斷（或反偏）耐久性試驗是在一定溫度下，對半導體器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規定時間，從而對器件進行質量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。一般情況下，此項試驗是對器件在結溫（TM℃和規定的交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應力組合下，進行規定時間的試驗，并根據抽樣理論和失效判定依據，確認是否通過， 同時獲取相關試驗數據。該系統符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、JEDEC標準。
ENX2020 IGBT/晶閘管老化測試系統
系統組成：
| 漏電流保護回路 |
| 試驗電壓保護回路 |
| 高壓回路 |
| 試品漏電流 |
| 試驗電壓 |
| 溫度控制單元 |
ENX2020 IGBT/晶閘管老化測試系統
技術指標：
| 晶閘管高溫阻斷 | IGBT高溫反偏測試 | |
| 試驗電壓 | VDRM.VRRM/VRRM 300V- 4000V 連續可調， 50HZ工頻 | 試驗電壓： 50-5000V ±3%±10V 器件漏電流測試范圍： 0.01mA-2mA 0.01mA-1mA±3%±0.01mA 1mA-2mA±3%±0.1mA 測試時間：計算機設定 測試方法：器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設定電壓下對每只器件同時持續加反壓進行測試，每隔1-2秒刷新一遍輸出的測試結果，監控各器件反壓下漏電流參數，并保存測試數據。 |
| 試驗電流 | IDRM.IRRM/IRRM 1.0mA-200.0mA | |
| 試驗溫度 | 溫度范圍：室溫-180℃ 125℃±3℃；溫度波動度±0.5℃ | |
| 試驗工位 | 10工位 | |
| 試驗容量 | 80×16=1280位 | |
| 加電方式 | 器件試驗參數從器件庫中導入，ATTM自動加電試驗方式，可單通道操作；老化電源可根據設定試驗電壓和上電時間程控步進加載 | |
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