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| 品牌 | ZEISS/蔡司 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 價格區間 | 面議 | 儀器種類 | 場發射 |
| 應用領域 | 化工,生物產業,能源,電子/電池,電氣 |
蔡司Sigma系列產品集場發射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）技術與良好的用戶體驗于一體，可輕松實現成像和分析程序，提高工作效率。 您可以將其用于新材料和顆粒的質量監測，或用于生物和地質樣品的研究。在高分辨率成像方面精益求精——采用低電壓，在1 kV或更低電壓下獲得更佳的分辨率和襯度。它出色的EDS幾何學設計可執行高級顯微分析，以兩倍的速度和更高的精度獲取分析數據。
使用Sigma系列，暢游納米分析世界。
Sigma 360是一款直觀的成像和分析FE-SEM，是分析測試平臺的理想之選。
Sigma 560采用EDS幾何學設計，可提供高通量分析，實現自動原位實驗。
分析測試平臺的理想之選，直觀的圖像采集
從設置到獲取基于人工智能的結果，均提供專業向導，為您保駕護航，助您探索直觀的成像工作流。
可在1 kV和更低電壓下分辨差異，實現更高的分辨率和優化的襯度。
可在特殊條件下執行可變壓力成像，獲得出色的非導體成像結果。
從設置到獲取基于人工智能的結果，每一步都清晰明了
即使您是新手用戶，也能輕松獲得專業結果。Sigma系列可迅速獲取圖像，易于學習和使用的工作流程可節省培訓時間，簡化從導航到后期處理的每個步驟，讓您如虎添翼。
蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動化可助您完成導航、參數設置和圖像采集等步驟。
接下來，ZEN core便可大顯身手：它配備針對具體任務的工具包，適用于后期處理。我們十分推薦基于機器學習的人工智能工具包，它可助您進行圖像分割，將多模式實驗與Connect Toolkit相結合，此外，Materials應用程序還能分析微觀結構、晶粒尺寸或涂層厚度。
增強的分辨率，優化的襯度
光學鏡筒是成像和分析性能的關鍵。Sigma配備蔡司Gemini 1電子光學系統，可對任何樣品提供出色的成像分辨率，尤其是在低電壓條件下。
Sigma 360的低電壓分辨率目前規定500 V時為1.9 nm。通過大幅度降低色差，1 kV時的分辨率已提升10%以上，可達。
現在成像比以往任何時候都輕松，無論是要求嚴苛的樣品，還是在可變壓力（VP）模式下采用背散射探測。
用于分析和成像的NanoVP lite模式
全新的 NanoVP lite模式和探測器可輕松在低于5 kV的條件下從絕緣材料中獲得高質量數據。
這樣就可增強成像和X射線能譜分析的性能，提供更多表面敏感信息，縮短采集時間，增強入射電子束流，提高能譜面分布速度。
aBSD1（環形背散射電子探測器）或新一代C2D（級聯電流）探測器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。
高通量分析，原位實驗自動化
對實體樣品進行高效分析：基于SEM的高速分析。
實現原位實驗自動化：無人值守測試的全集成實驗室。
可在低于1 kV的條件下完成要求嚴苛的樣品成像：采集完整的樣品信息。
EDS：通用、高速，助您深入研究
蔡司Sigma 560場發射掃描電子顯微鏡的EDS幾何學設計可提高分析效率。兩個180°徑向相對的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下，也能實現高通量無陰影元素分布成像。
樣品倉的附加EBSD和WDS端口不局限于滿足EDS分析。
不導電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進行分析，并能獲得更強的信號和更高的襯度。
全新的aBSD4探測器可輕松實現表面形貌復雜樣品的圖像采集。
無人值守測試的全集成實驗室
Sigma原位實驗室是一種全集成式解決方案，它可以不依賴操作人員，通過無人值守的自動化工作流進行加熱和拉伸測試。
通過對納米級別的特征進行三維分析進一步擴展您的工作流：執行三維STEM斷層成像或基于人工智能的圖像分割。
可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異
在1 kV或甚至在500 V時實現信息量豐富的成像和分析：Sigma 560的低電壓分辨率規定500 V時為1.5 nm。
在全新的NanoVP lite模式下，使用新型aBSD或C2D探測器在可變壓力下輕松拍攝高要求樣品，加速電壓可低至3 kV。
正在研究電子設備的您肯定希望保持清潔的工作環境。使用等離子清洗儀（強烈推薦）和可通過6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙，防止您的樣品室受到污染。
Gemini光學鏡筒截面示意圖，包含電子束推進器、Inlens探測器和Gemini物鏡。
Gemini 1的光學系統由三個元件組成：物鏡、電子束推進器和具有Inlens探測原理的探測器。其中，物鏡的設計將靜電場與磁場的作用力相結合，大大優化光學性能的同時，降低了樣品所處的場影響。如此也可實現對磁性材料等具有挑戰性的樣品的高品質成像。Inlens探測原理通過對二次電子（SE）和/或背散射電子（BSE）的探測來確保高效的信號檢測，同時大幅縮短獲取圖像的時間。電子束推進器保證了小尺寸的電子束斑和高信噪比。
Gemini 1光學鏡筒與探測器截面示意圖
Sigma配備了一系列不同的探測器，通過新探測技術對您的樣品進行表征。使用ETSE和Inlens探測器的高真空模式可獲取表面形貌的高分辨率信息。使用VPSE或C2D探測器的可變壓力模式可獲得清晰圖像。使用aSTEM探測器可進行高分辨率透射電子成像。 采用不同的可選BSE探測器（如aBSD探測器）可以深入研究樣品的成分和表面形貌。
標準VP（左）和NanoVP lite（右）模式，氣體分布（粉紅色），電子束裙邊（綠色）。
采用NanoVP lite模式進行分析和成像，在低電壓條件下可獲得更高的圖像質量，更快速地獲取更準確的分析數據。
在NanoVP lite模式下，裙邊效應降低且入射束流的路徑長度（BGPL）減小。裙邊減小會提高SE和BSE成像的信噪比。
帶有五段圓弧的伸縮式aBSD可提供出色的材料成分襯度：在NanoVP lite工作過程中，該探測器配備了安裝在極靴下方的束流套管，其可提供高通量及低電壓的成分和表面形貌高襯度成像，適用于可變壓力和高真空條件。
探索聚合物、纖維、二硫化鉬等材料樣品的圖像。
對斷裂的聚苯乙烯樣品表面進行成像，以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。
Sigma 560， 3 kV，60 Pa樣品倉壓力下的NanoVP lite模式，C2D G2。
由德國科隆大學無機化學研究所的V. Brune博士提供。
用于藥物傳遞的MSC膠囊（中空介孔二氧化硅）。背散射成像顯示了二氧化硅納米膠囊中的氧化鐵顆粒。Sigma 560，HDBSD，5 kV。
以低電壓成像的碳納米管（CNT）。Sigma 560，500 V，Inlens SE探測器。
氧化鋁（Al2O3）球體。在500 V表面信息敏感條件下高分辨率成像，可以看到燒結顆粒的表面梯度，某些梯度之間的距離僅為3 nm。Sigma 560，500 V，Inlens SE。
電池正極鋁箔顆粒表面。利用材料成分襯度識別Li-NMC上的粘合劑（較暗的材料），使用aBSD成像。
利用化學氣相沉積（CVD）技術在Si/SiO2基材上生長的MoS22D晶體：RISE圖像呈現出MoS2晶體的褶皺和重疊部分（綠色）、多層（藍色）及單層（紅色）結構，圖像寬度32 µm。
鋼原位加熱和拉伸實驗。同步執行SEM成像和EBSD分析，以深入研究應力應變曲線。
了解更多有關原生動物或真菌的微觀和納米結構信息，獲取切面樣品或薄片上的超微結構。
在1 kV高真空條件下，使用ETSE探測器輕松完成放射蟲精細鏤空結構成像，圖像寬度183 µm。
在1 kV高真空條件下對蘑菇真菌孢子成像。使用Sigma 500可以在低電壓下對這些精巧脆弱的結構輕松成像。
由挪威卑爾根大學薩斯海洋分子生物學中心的Anna Seybold和Harald Hausen提供。
固著海洋生物苔蘚蟲Tricellaria inopinata的超微結構，觀察視野為30 μm。使用蔡司Sigma 560采集，Sense BSD探測器，1 kV，30 pA。
由UCL眼科研究所的Peter Munro博士和Hannah Armer提供。
使用連續切面成像技術自動采集的3D大腦超微結構。星形細胞（青色）被識別和分割。
探索巖石、礦石和金屬。
在20 kV下使用YAG-BSD成像的巖石樣品，由于YAG晶體的光傳導性能可高速采集圖像。
硫化鎳礦石。礦物EDS面分布圖，圖像寬度3.1 mm。樣品由英國萊徹斯特大學提供。
鐵礦石礦物分析：鐵礦石礦物的拉曼光譜分析，掃描電子顯微鏡圖像和拉曼圖疊加。（赤鐵礦為紅色、藍色、綠色、橙色和粉紅色；針鐵礦為淡藍色）。
鐵礦石礦物分析，拉曼光譜：赤鐵礦光譜的差異表征了其晶體取向的不同。（赤鐵礦為紅色、藍色、綠色、橙色和粉紅色；針鐵礦為淡藍色）。
含石榴石片麻巖的定量EDS主要元素熱圖（Ca），突出了關鍵礦物中的地球化學分區。
了解如何對金屬、合金和粉末進行研究。
在40 Pa可變壓力模式下，使用C2D探測器輕松完成對顏料和遮光劑用非導電二氧化tai顆粒的成像，圖像寬度10 µm。
在20 kV的暗場模式下，使用aSTEM探測器對25 – 50 nm氧化鐵顆粒成像。
在1 kV下使用aBSD對超導合金樣品成像。（比例尺20 µm）
氧化鋅枝晶：檢測儲能系統電極的形態變化。Sigma，ETSE，5 kV。
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